http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/8837 Mon, 18 May 2026 09:47:27 GMT 2026-05-18T09:47:27Z http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10990 Title: Agent và môi trường phát triển : Luận văn ThS Authors: Hồ, Đắc Phương; Nghd. : PGS. Nguyễn, Quốc Toản Abstract: Sau phần giới thiệu chung, luận án tập trung giới thiệu về Agent và Agent thông minh, hệ thống Multi-Agent, bộ công cụ ZEUS và sử dụng để xây dựng E-Market, thị trường hoa quả Mon, 01 Jan 2001 00:00:00 GMT http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10990 2001-01-01T00:00:00Z http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10505 Title: Nghiên cứu, chế tạo và ứng dụng cảm biến sinh học dựa trên cấu trúc nano silicon Authors: Nguyễn, Văn Quốc; Nghd. : TS. Tống, Duy Hiển Abstract: Sơ lược về lịch sử phát triển cảm biến sinh học (biosensor) và giới thiệu về cảm biến sinh học dựa trên cấu trúc của sợi nano (nanowire based biosensor). Nghiên cứu qui trình chế tạo deposition and etching under angle (DEA: lắng đọng và ăn mòn theo góc nghiên) và các kĩ thuật, công nghệ cơ bản của DEA dùng để chế tạo sợi nano silicon. Trình bày các bước chế tạo sợi nano silicon bằng phương pháp DEA và các kết quả thu được. Khảo sát khả năng phát hiện DNA của cảm biến: biến đổi bề mặt sợi silicon thích hợp cho việc gắn thụ thể; đo đạc, phát hiện DNA của cây bắp chuyển gen Fri, 01 Jan 2010 00:00:00 GMT http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10505 2010-01-01T00:00:00Z http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10152 Title: Chế tạo và nghiên cứu van spin NiCoO/FM/Cu/FM kích thước nanomet Authors: Nguyễn, Đăng Thành; Nghd. : PGS.TS. Lê, Văn Hồng Abstract: Tổng quan về hiện tượng từ trở khổng lồ GMR và dị hướng trao đổi giữa hai lớp sắt từ/phản sắt từ. Trình bày các phương pháp thực nghiệm: phương pháp chế tạo mẫu dùng phương pháp phún xạ và phương pháp phún xạ phản ứng; phương pháp phân tích và đo đạc để xác định chiều dày màng mỏng, thành phần hoá học bằng phổ kế huỳnh quang tia X, vi cấu trúc và thành phần pha bằng nhiễu xạ tia X; đo từ trở bằng phương pháp bốn mũi dò cách đều trong từ trường. Từ đó tìm ra được công nghệ tối ưu cho phép chế tạo màng Ni1-xCoxO, van spin NiCoO/FM/Cu/FM Mon, 01 Jan 2007 00:00:00 GMT http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10152 2007-01-01T00:00:00Z http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10143 Title: Tính toán các mức năng lượng của điện tử trong dây lượng tử bằng phương pháp khối lượng hiệu dụng và phương pháp liên kết chặt Authors: Dương, Ngọc Tùng; Nghd. : PGS.TS. Nguyễn, Như Đạt Abstract: Tìm hiểu các cấu trúc có kích thước nanô: cấu trúc dị thể, cấu trúc giới hạn lượng tử, mật độ trạng thái; Trình bày về phương pháp gần đúng khối lượng hiệu dụng áp dụng cho tính hàm sóng và năng lượng của electron trong dây lượng tử. Tính mức năng lượng gián đoạn của electron cho dây Ge. Trình bày về phương pháp liên kết chặt-Tight-Binding (TB) áp dụng cho tính hàm sóng và năng lượng của electron trong dây Ge. So sánh kết quả và rút ra ý nghĩa vật lý khi áp dụng hai phương pháp tính năng lượng của điện tử trong dây lượng tử Sun, 01 Jan 2006 00:00:00 GMT http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10143 2006-01-01T00:00:00Z