<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<feed xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns="http://www.w3.org/2005/Atom">
<title>Chuyên ngành Công nghệ Nanô Sinh học (LIC)</title>
<link href="http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/8837" rel="alternate"/>
<subtitle/>
<id>http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/8837</id>
<updated>2026-05-19T12:40:15Z</updated>
<dc:date>2026-05-19T12:40:15Z</dc:date>
<entry>
<title>Agent và môi trường phát triển : Luận văn ThS</title>
<link href="http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10990" rel="alternate"/>
<author>
<name>Hồ, Đắc Phương</name>
</author>
<author>
<name>Nghd. : PGS. Nguyễn, Quốc Toản</name>
</author>
<id>http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10990</id>
<updated>2011-06-06T03:20:43Z</updated>
<published>2001-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Agent và môi trường phát triển : Luận văn ThS
Hồ, Đắc Phương; Nghd. : PGS. Nguyễn, Quốc Toản
Sau phần giới thiệu chung, luận án tập trung giới thiệu về Agent và Agent thông minh, hệ thống Multi-Agent, bộ công cụ ZEUS và sử dụng để xây dựng E-Market, thị trường hoa quả
</summary>
<dc:date>2001-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Nghiên cứu, chế tạo và ứng dụng cảm biến sinh học dựa trên cấu trúc nano silicon</title>
<link href="http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10505" rel="alternate"/>
<author>
<name>Nguyễn, Văn Quốc</name>
</author>
<author>
<name>Nghd. : TS. Tống, Duy Hiển</name>
</author>
<id>http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10505</id>
<updated>2011-06-07T03:48:46Z</updated>
<published>2010-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Nghiên cứu, chế tạo và ứng dụng cảm biến sinh học dựa trên cấu trúc nano silicon
Nguyễn, Văn Quốc; Nghd. : TS. Tống, Duy Hiển
Sơ lược về lịch sử phát triển cảm biến sinh học (biosensor) và giới thiệu về cảm biến sinh học dựa trên cấu trúc của sợi nano (nanowire based biosensor). Nghiên cứu qui trình chế tạo deposition and etching under angle (DEA: lắng đọng và ăn mòn theo góc nghiên) và các kĩ thuật, công nghệ cơ bản của DEA dùng để chế tạo sợi nano silicon. Trình bày các bước chế tạo sợi nano silicon bằng phương pháp DEA và các kết quả thu được. Khảo sát khả năng phát hiện DNA của cảm biến: biến đổi bề mặt sợi silicon thích hợp cho việc gắn thụ thể; đo đạc, phát hiện DNA của cây bắp chuyển gen
</summary>
<dc:date>2010-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Chế tạo và nghiên cứu van spin NiCoO/FM/Cu/FM kích thước nanomet</title>
<link href="http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10152" rel="alternate"/>
<author>
<name>Nguyễn, Đăng Thành</name>
</author>
<author>
<name>Nghd. : PGS.TS. Lê, Văn Hồng</name>
</author>
<id>http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10152</id>
<updated>2011-06-03T01:41:40Z</updated>
<published>2007-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Chế tạo và nghiên cứu van spin NiCoO/FM/Cu/FM kích thước nanomet
Nguyễn, Đăng Thành; Nghd. : PGS.TS. Lê, Văn Hồng
Tổng quan về hiện tượng từ trở khổng lồ GMR và dị hướng trao đổi giữa hai lớp sắt từ/phản sắt từ. Trình bày các phương pháp thực nghiệm: phương pháp chế tạo mẫu dùng phương pháp phún xạ và phương pháp phún xạ phản ứng; phương pháp phân tích và đo đạc để xác định chiều dày màng mỏng, thành phần hoá học bằng phổ kế huỳnh quang tia X, vi cấu trúc và thành phần pha bằng nhiễu xạ tia X; đo từ trở bằng phương pháp bốn mũi dò cách đều trong từ trường. Từ đó tìm ra được công nghệ tối ưu cho phép chế tạo màng Ni1-xCoxO, van spin NiCoO/FM/Cu/FM
</summary>
<dc:date>2007-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
<entry>
<title>Tính toán các mức năng lượng của điện tử trong dây lượng tử bằng phương pháp khối lượng hiệu dụng và phương pháp liên kết chặt</title>
<link href="http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10143" rel="alternate"/>
<author>
<name>Dương, Ngọc Tùng</name>
</author>
<author>
<name>Nghd. : PGS.TS. Nguyễn, Như Đạt</name>
</author>
<id>http://tainguyenso.vnu.edu.vn/jspui/handle/123456789/10143</id>
<updated>2011-06-06T02:04:25Z</updated>
<published>2006-01-01T00:00:00Z</published>
<summary type="text">Tính toán các mức năng lượng của điện tử trong dây lượng tử bằng phương pháp khối lượng hiệu dụng và phương pháp liên kết chặt
Dương, Ngọc Tùng; Nghd. : PGS.TS. Nguyễn, Như Đạt
Tìm hiểu các cấu trúc có kích thước nanô: cấu trúc dị thể, cấu trúc giới hạn lượng tử, mật độ trạng thái; Trình bày về phương pháp gần đúng khối lượng hiệu dụng áp dụng cho tính hàm sóng và năng lượng của electron trong dây lượng tử. Tính mức năng lượng gián đoạn của electron cho dây Ge. Trình bày về phương pháp liên kết chặt-Tight-Binding (TB) áp dụng cho tính hàm sóng và năng lượng của electron trong dây Ge. So sánh kết quả và rút ra ý nghĩa vật lý khi áp dụng hai phương pháp tính năng lượng của điện tử trong dây lượng tử
</summary>
<dc:date>2006-01-01T00:00:00Z</dc:date>
</entry>
</feed>
