Bằng phương pháp nghiên cứu phô huỳnh quang kích thích, chúng tôi đã khảo sát các cơ chế hấp thụ của vật liệu GaN ở miền gần bò hấp thụ. Các phép đo được thực hiện trong dải nhiệt độ từ 13K đến nhiệt độ phòng. Dải hấp thụ tại 357,83nm (3,46eV) được quy cho là hấp thụ exciton. Dải hấp thụ tại 372,64nm (3,328eV) tương ứng với cđ chế hấp thụ tạo cặp donor-acceptor. Từ đường fit năng lượng đỉnh phổ huỳnh quang kích thích theo nhiệt độ, các thông số nhiệt Varshni đã được xác định.
